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Spinpumping von Permalloy in n-GaN:Si

Details of idea

by Matzer  |  at 25. September 2017 - 17:05  |  
Participation in the challenge Wissenschaftspreis - Universitäten/Fachho ... (Public)

Description:

Galiumnitrid (GaN) ist ein weit verbreitetes Material in der Opto- und High-Power Elektronik sowie im Bereich der Leistungselektronik. Wobei im Letzteren vor allem die Effizienz der Umformung ausschlaggebend ist, eine Möglichkeit dies noch weiter zu steigern bietet die Spintronik. Dabei schaut man sich die Spins der Elektronen an, welche einen Spinstrom erzeugen können. Die Idee meiner Arbeit war eine Möglichkeit zu finden Spinstrom zu generieren und manipulieren, sodass dieser in Zukunft bei GaN Bauteilen genutzt werden kann. Ich habe GaN n-dotiert mit Si und dieses in ein Doppelschichtsystem mit Permalloy eingebaut. Damit konnte ich Spinstrom erzeugen, welcher im n-GaN:Si in elektrischen Strom umgewandelt wurde. Die dabei entscheidende dimensionslose Größe beschreibt die Umwandlungseffizienz der beiden Ströme und beträgt für n-GaN:Si 3,03 x 10^-3. Dieses Resultat ist ein um mindestens eine Größenordnung höherer Betrag als bei allen bisher veröffentlichten Materialien gefunden wurde.

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