Ideenpool - Elektronik

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Spinpumping von Permalloy in n-GaN:Si
by Matzer at 25. September 2017 - 17:05
Participation in the challenge Wissenschaftspreis - Universitäten/Fachho ... (Public)
Key word(s): Ökologie & Nachhaltigkeit, Elektronik, Galiumnitrid, Grundlagenforschung, Halbleiter, Spinstrom
Snapshot of Spinpumping von Permalloy in n-GaN:Si

Galiumnitrid (GaN) ist ein weit verbreitetes Material in der Opto- und High-Power Elektronik sowie im Bereich der Leistungselektronik. Wobei im Letzteren vor allem die Effizienz der Umformung ausschlaggebend ist, eine Möglichkeit dies noch weiter zu steigern bietet die Spintronik. Dabei schaut man sich die Spins der Elektronen an, welche einen Spinstrom erzeugen können. Die Idee meiner Arbeit war eine Möglichkeit zu finden Spinstrom zu generieren und manipulieren, sodass dieser in Zukunft bei GaN Bauteilen genutzt werden kann. Ich habe GaN n-dotiert mit Si und dieses in ein Doppelschichtsystem mit Permalloy eingebaut. Damit konnte ich Spinstrom erzeugen, welcher im n-GaN:Si in...


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